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王树林; 程如光;
无;
机译:a-SiNx / a-Si的均匀nc-Si晶粒的受限生长:H / a-SiNx:机理与实验
机译:界面和形状对a-SiNx / a-Si:H / a-SiNx结构中nc-Si受约束生长的依赖性
机译:a-Si:H / nc-Si:H超晶格中的量子尺寸效应和可调的可见光致发光
机译:硅晶片上脉冲激光退火a-Si:H / a-SiNx:H超晶格的可见电致发光
机译:石墨烯化学掺杂对无定形二氧化硅的化学掺杂,石墨烯 - 氟超晶格的电子性质及石墨烯与原子氟相互作用的研究
机译:使用MgGaδ掺杂降低纳米(AlN)5 /(GaN)1超晶格替代的Al0.83Ga0.17N无序合金中Mg受体的活化能:Mg局部结构效应
机译:掺杂超晶格中的连续隧道效应:杂质指纹图谱 波段和光子辅助隧道效应
机译:碳掺杂al(0.4)Ga(0.6)as / Gaas超晶格中的al-Ga相互扩散,碳受体扩散和孔减少:as(4)压力效应
机译:发射辐射的半导体器件包括:有源层,其布置在n和p掺杂的壳体层之间;扩散停止层,其具有张紧的超晶格,该张紧的超晶格布置在有源层和p掺杂的壳体层之间
机译:半导体连接划定了具有超晶格的半导体器件,该超晶格具有其掺杂的区域和与其邻接的半导体层
机译:包括超晶格的半导体器件,该超晶格具有至少一个包括基本上未掺杂的层的组
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