p型GexSi1—x／Si多量子阱的红外吸收及其分析

摘要

通过测量ＧｅＳｉ多量了阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１，轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收，测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响应峰。