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周小莉; 杜丕一;
台州学院物理系,临海,317000;
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;
ACu3Ti4O12,巨介电,晶相含量,阻挡层电容;
机译:钽酸铋铜作为内部阻挡层电容器陶瓷的微观结构和介电性能
机译:Ca1-xSrxTiO3作为不同Sr含量的介电阻挡层放电的阻挡层的性能
机译:Ni2 +掺杂的CaCu3Ti4O12中显着增强的介电响应和非线性电气行为的起源:DC偏置对晶界和相关巨电介电性能的电学性能的影响
机译:具有EUV光刻技术的22 nm节点的布线尺寸和阻挡层金属对器件性能的设计影响研究
机译:了解电容器应用的多层聚合物膜的损失机制和增强介电性能
机译:铜纳米线/非晶态的巨介电常数用于超级电容器的SiO2复合薄膜
机译:具有离子液体/ mgO阻挡层和铁磁pt电极的电容器结构的介电和磁特性
机译:用于薄膜电容器的介电材料性能的实验研究最终报告,1965年4月7日 - 1965年10月7日
机译:形成具有非晶扩散阻挡层的Ta 2 O 5介电层的方法和形成具有b的电容器的方法。助教。具有非晶扩散阻挡层的su2 O.sub.5介电层
机译:形成具有非晶扩散阻挡层的Ta 2 O 5介电层的方法和形成具有Ta 2 O 5的电容器的方法。 2 O.sub.5介电层和非晶扩散阻挡层
机译:具有高介电性能和漏电流性能的介电层,以及制造包括该介电层的电容器的方法
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