ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的晶界电子结构

成鹏飞; 李盛涛; 李建英

首页> 中文期刊> 《物理学报》 >ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的晶界电子结构

ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的晶界电子结构

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

测量了ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷在不同温度下的介电频谱,基于压敏陶瓷介电特征损耗峰起源于耗尽层内本征缺陷电子松弛过程的理论,计算了ZnO的本征缺陷结构,并进一步求出了晶界的微观电参数和宏观单晶界击穿电压.单晶界击穿电压的理论值与实验测量值符合得很好,这表明本文建立的基于介电谱计算本征缺陷的方法是有效的.

著录项

来源
《物理学报》 |2010年第1期|560-565|共6页
作者
成鹏飞; 李盛涛; 李建英;
展开▼
作者单位

西安工程大学理学院,西安,710048;

西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049;

西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
ZnO压敏陶瓷; 晶界电子结构; 介电谱;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 掺杂稀土氧化物的ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷中的“软心” [J] . 成鹏飞 ,李盛涛 . 材料研究学报 . 2006,第4期
2. 杂质对钨的晶界电子结构及晶间结合力的影响 [J] . Kras.GL ,郑红 . 钨钼材料 . 1994,第001期
3. 晶界电性能对ZnO压敏陶瓷性能的影响 [J] . 祝铭 ,李玉科 ,郑嘹赢 . 材料导报 . 2010,第022期
4. 纳米粉体对TiO_2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响 [J] . 严继康 ,甘国友 ,陈海芳 . 半导体技术 . 2007,第2期
5. 晶界氧吸附对SrTiO_3基压敏陶瓷的作用 [J] . 李建英 ,李盛涛 . 稀有金属材料与工程 . 2005,第11期
6. TiO2压敏陶瓷的晶界偏析 [C] . YI Jian-hong ,易健宏 ,YANJi-kang . 中国工程科技论坛第151场——粉末冶金科学与技术发展前沿论坛 . 2012
7. P和B在IN718系合金中的晶内强化作用及其与非平衡晶界偏聚的关系 [A] . 张安文 . 2019

ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的晶界电子结构

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅