Ce^(4+)离子在Ca_2SnO_4一维结构基质中的电荷迁移光谱研究

摘要

利用高温固相反应法制备了Ca2Sn1-xCexO4和Ca2-ySrySn1-xCexO4一维结构发光体.XPS结果显示Ca2SnO4拥有两种结合能分别为527.7eV和529.3eV的晶格O2-离子,前者对应于SnO6八面体终端上的O2-离子,而后者属于八面体平面上的O2-离子.Ca2Sn1-xCexO4和Sr2CeO4一维结构发光体的发光来源于Ce4+-O2-的电荷迁移跃迁,通常认为O2-与Ce4+离子之间的电荷迁移激发在紫外波段存在着两个激发峰.Sr2+离子掺杂的Ca2Sn1-xCexO4样品的光谱测量结果显示Ca2Sn1-xCexO4在紫外波段实际上存在着三个激发峰.Ca2Sn1-xCexO4样品的三个激发峰分别位于31000cm-1,34500cm-1和37400cm-1附近.在Ca2Sn1-xCexO4的Ca2+格位上掺杂Sr2+离子,三个激发峰明显显露,且分别蓝移至31200cm-1,34700cm-1和38400cm-1左右;然而,样品发射光谱的形状保持不变.Sr2CeO4激发光谱也可以用三个高斯峰拟合,其峰值分别位于29300cm-1,33400cm-1和37000cm-1附近.