HeNe激光辐照对离体质粒DNA损伤及诱发lacZ基因突变的研究

摘要

利用低功率HeNe激光辐照离体质粒DNA,分析了质粒DNA的损伤效应和lacZ基因的突变.结果表明HeNe激光低剂量辐照可提高质粒转化活性,随着剂量增加可引起DNA结构显著损伤,导致质粒失活,同时可诱发lacZ基因突变,其最高突变率可达10.58×10-4,且突变率的剂量效应曲线可用Y＝a+bx+cx2来描述.与紫外线辐照相比,HeNe激光对lacZ基因的诱变效率低于紫外线.