高迁移率IWO薄膜特性及其在薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池中的应用研究

摘要

采用反应等离子沉积（RPD）技术在玻璃衬底上制备掺W的In2O3（IWO）薄膜,实验发现氧偏压对薄膜特性影响较大。研究氧偏压对IWO薄膜光电特性的影响,低温条件下制备的薄膜结晶性较好,IWO迁移率达到60.0cm2/（V·s）。经过退火处理后,IWO的迁移率达到120.0 cm2/（V·s）以上。基于X射线衍射（XRD）和变温霍尔效应测试分析,高迁移率主要归因于良好的结晶性以及较低的晶界势垒。最后将优化的IWO薄膜应用到薄膜硅/晶体硅异质结（SHJ）太阳电池中,高迁移率有助于提高电池的短路电流和填充因子,获得高达22.3%的光电转换效率。