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陶辉锦; 尹健; 尹志民; 张传福; 谢佑卿;
中南大学材料科学与工程学院,长沙,410083;
中南大学冶金工程博士后流动站,长沙,410083;
Si; Gibbs能; 最小二乘法; 晶格稳定性; 第一原理;
机译:黄铜矿BeSiV2和MgSiV2(V = P,As,Sb)的结构,弹性和晶格动力学性质的第一性原理研究
机译:Si / SiO_2-超晶格的电子能带结构的第一性原理研究
机译:高压下LAF_3的结构和晶格动态稳定性:第一个原理研究
机译:硅基异质结的电子性质研究:a-Si:H / c-Si和GaP / Si异质结的第一个原理研究
机译:GaAs / AlAs超晶格中点缺陷的第一性原理研究:相稳定性及其对能带结构和载流子迁移率的影响
机译:GaAs / ALAS超晶格中点缺陷的第一原理研究:相位稳定性和对带结构和载波移动性的影响
机译:si和siC中点缺陷产生的第一性原理研究
机译:使具有较高Ge浓度的第一SiGe层的应变Si器件松弛以具有与具有较低Ge浓度的第二SiGe层基本相同的晶格常数
机译:具有优异的耐腐蚀性,耐剥落性和流变性的用于单质耐火材料的SiC,其制备方法和用于该单质耐火材料的原材料
机译:具有均匀晶格平面走向的SiC体积单晶和具有均匀晶格平面走向的单晶SiC衬底的制造方法
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