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三代树状碳硅烷液晶研究--端基含丁氧基偶氮苯介晶基元

         

摘要

用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征,D3为向列相与M5相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D3相行为:K79N126I116N,D3熔点比M5降低33℃,D3清亮点比M5增加2℃,D3液晶态温区比M5加宽35℃.

著录项

  • 来源
    《化学学报》 |2003年第4期|619-624|共6页
  • 作者单位

    山东大学化学化工学院;

    济南;

    250100;

    山东大学化学化工学院;

    济南;

    250100;

    山东师范大学测试中心;

    济南;

    250014;

    中国科学院长春应用化学研究所;

    长春;

    130022;

    中国科学院长春应用化学研究所;

    长春;

    130022;

    中国科学院长春应用化学研究所;

    长春;

    130022;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 杂链聚合物;
  • 关键词

    向列相液晶;

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