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垂直腔面发射激光器中的新结构研究

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摘要

通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件.测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍.

著录项

来源
《兵工学报》 |2007年第2期|167-169|共3页
作者
郝永芹; 刘文莉; 钟景昌; 张永明; 冯源; 赵英杰;
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作者单位

长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;

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长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;

长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022;

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正文语种 chi
中图分类氧化层生长;
关键词
光学; 半导体激光器; 氧化物限制; 量子阱; 垂直腔面发射激光器;

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