铝胁迫下大豆根尖细胞铝的微区分布与耐铝性分析

摘要

以浙春3号为实验材料,利用透射电镜(TEM:Transmission Electron Microscope)-X-射线能谱(EDS:EnergyDispersive X-ray),调查铝胁迫下大豆根尖铝的微区分布及耐铝性.结果表明,Al3+胁迫导致根尖细胞细胞壁不规则加厚,线粒体数量增多,核膜膨胀,液泡中存在较多的电子致密沉淀物.90 mg L-1Al3+处理的根尖细胞内含物完全降解消失,仅剩细胞壁.10 mg L-1Al3+处理的线粒体、细胞壁和液泡电子致密沉淀物中均检测到A1;随着Al3+处理浓度的增大,各细胞器中Al的质量和原子数百分比逐渐增大.线粒体在60 mg L-1.和90 mg L-1Al3+处理下,液泡电子致密沉淀物在90 mg L-1Al3+处理下,均未被检测出Al.在60 mg L-1Al3+处理下唯一一次在细胞核中检测到Al.Al3抑制了根系生长,根系细胞中细胞壁的Al3+含量受影响最明显.P/Al在细胞壁和线粒体中的相对原子数随Al3+浓度的增大而下降.研究结果表明X-射线能谱对铝在亚显微结构上的定位是一种快速、有效的方法.铝最先积累在细胞壁上,随Al3+处理浓度增大逐渐积累于部分细胞器和细胞核中,且含量在细胞中的分布亦由外向里呈递减趋势.