具有纳米结构的VO2相变薄膜

摘要

采用无机溶胶－凝胶法制备ＶＯ２相变薄膜，该薄膜相变时的电阻（率）突变可达４￣５个数量级。并用ＸＲＤ、ＤＳＣ和ＴＧＡ法了制膜过程中干凝胶膜的层状非晶纳米结构，通过适当的非晶晶化过程及随后Ｖ２Ｏ５→ＶＯ２转变的真空热处理，可获得带有空洞结构的低密度纳米薄膜，从而使电阻（率）突变特性异常优异。