State University of New York at Buffalo.;
Field plate; Gallium Oxide; High voltage; MOSFET; Power electronics; Power semiconductor;
机译:低温条件下氮化镓和碳化硅MOSFET作为电力开关应用的比较研究
机译:0.35- / spl mu / m,6-m / spl Omega /,43 / spl mu // spl Omega / -cm / sup 2 /横向功率MOSFET,适用于低压,兆赫兹开关电源应用
机译:通过Si IGBT / BiMOSFET实现1700V,50A SiC功率MOSFET的高开关性能,适用于高级功率转换应用
机译:MOVPE氧化镓MOSFET对高压应用的天然基材的镓MOSFET的装置
机译:用于高压开关应用的氮化镓MOSFET。
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:零电压开关全桥开关模式电源应用中的mOsFET故障模式
机译:利用siC功率mOsFET的硬开关Boost功率处理单元的长期可靠性。