New Jersey Institute of Technology.;
Flat band voltage; HfZrOx; High-k dielectrics; Reliability; Slot plane antenna plasma;
机译:基于物理气相沉积的原位法制备掺La的Hf-硅酸盐栅电介质及其对金属/高k层的有效功函数的调制
机译:基于物理气相沉积的原位法制备掺La的Hf-硅酸盐栅电介质及其对金属/高k层的有效功函数的调制
机译:通过将纳米晶硒化镉嵌入硅晶片上沉积的非晶ZrHfO高k介电薄膜中来增强发光
机译:密集等离子体聚焦法研究镧掺入的HfO_2纳米级高K电介质在金属-绝缘体-金属电容器中的应用
机译:通过液源雾化化学沉积(LSMCD)方法沉积的高k材料的研究用于高级栅极电介质应用。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:基于Hf的高K栅极电介质和金属栅极叠层,用于高级CMOS器件