Purdue University.;
机译:金属/ III-V肖特基势垒高度调整,用于非合金III-V场效应晶体管源极/漏极触点的设计
机译:具有高k介电材料和肖特基触点的III-V无连接纳米线晶体管
机译:使用快速热退火介电保护层的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的欧姆接触和电性能的纳米级表面形态优化
机译:对P型III-V半导体的欧姆接触,用于异质结双极晶体管的基础
机译:III-V纳米线晶体管和隧穿晶体管的建模,设计和分析
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:先进的III-V场效应晶体管的接触和源极/漏极工程