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Transmission electron microscopy characterization of semiconductors grown by organometallic vapor phase epitaxy.

机译:通过有机金属气相外延生长的半导体的透射电子显微镜表征。

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摘要

Microstructural analysis by transmission electron microscopy has been investigated in this dissertation. Phenomena such as spinodal decomposition and ordering in III/V alloys grown by organometallic vapor phase epitaxy have been the particular topics. No direct evidence of spinodal decomposition was observed in high quality as-grown GaAs;Long range ordered structures were observed for the first time in GaAs;For a Ga;The first L1;The first observation of L1;The two variants of the CuPt type ordered structure were also observed in InP
机译:本文通过透射电子显微镜对显微组织进行了研究。诸如旋节线分解和通过有机金属气相外延生长的III / V合金中的有序化等现象已成为特定主题。在高质量的GaAs生长中未观察到旋节线分解的直接证据;在GaAs中首次观察到长程有序结构;对于Ga;第一个L1;第一次观察到L1; CuPt类型的两个变体在InP中也观察到有序结构

著录项

  • 作者

    Jen, Hei-Ruey Harry.;

  • 作者单位

    The University of Utah.;

  • 授予单位 The University of Utah.;
  • 学科 Engineering Electronics and Electrical.;Physics Condensed Matter.;Engineering Materials Science.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 1989
  • 页码 152 p.
  • 总页数 152
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 无线电电子学、电信技术 ; 工程材料学 ;
  • 关键词

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