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Etude des proprietes optiques d'un nombre reduit de boites quantiques par photoluminescence et cathodoluminescence (French text).

机译:通过光致发光和阴极发光研究减少数量的量子点的光学性质(法文)。

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摘要

Ce memoire de maitrise presente les resultats obtenus par spectroscopie de la photoluminescence, spectroscopie de la cathodoluminescence et par imagerie de la cathodoluminescence sur un nombre tres reduit de boites quantiques (BQ). Ces boites quantiques d'InAs/GaAs sont formees spontanement lors de la croissance epitaxiale (Stranski-Krastanov) d'InAs sur un substrat de GaAs. La reduction du nombre de BQ sondees a pu etre realisee par la gravure de nanomesas, une technique entierement developpee dans le cadre de ces travaux. Cette isolation d'un nombre de BQ de l'ordre de l'unite (entre 2 et 10) a permis de s'affranchir du probleme de l'elargissement inhomogene des raies provenant des fluctuations dans la taille des BQ. Suite a l'isolation, on observe une grande reduction de la largeur a mi-hauteur des pics presents sur les spectres. Ainsi, il est possible de voir les structures sous-jacentes aux gaussiennes initiales dans les spectres de cathodoluminescence. La comparaison de spectres de photoluminescence et de cathodoluminescence nous a mene a conclure que le remplissage des etats et la dynamique des porteurs est tres similaire dans les deux cas. Ces deux techniques sont donc complementaires. Les images de la cathodoluminescence obtenues montrent la distribution de l'intensite emise a l'interieur d'un mesa. La resolution spatiale de ces images est de ∼100 nm, soit cinq fois mieux que la resolution d'une autre technique (micro-photoluminescence). En somme, nous avons montre que la spectroscopie et l'imagerie de la cathodoluminescence, jumele a l'observation au microscope electronique, sont de puissantes techniques peu utilisees a ce jour pour l'analyse structurale et spectrale des boites quantiques.
机译:该硕士论文介绍了通过光致发光光谱法,阴极发光光谱法和通过阴极发光成像对极少量量子点(BQ)进行成像所获得的结果。这些InAs / GaAs量子点是在GaAs衬底上InAs外延(Stranski-Krastanov)生长期间自发形成的。可以通过蚀刻纳米台面来减少探测到的BQ数量,这项技术是在这项工作的框架内完全开发出来的。多个数量级为1(在2到10之间)的BQ的隔离使克服BQ尺寸波动引起的线路不均匀扩大的问题成为可能。绝缘之后,光谱中出现的峰的中间高度的宽度大大减小。因此,可以在阴极发光光谱中看到初始高斯分布的结构。对光致发光和阴极发光光谱的比较使我们得出结论,在两种情况下,状态的填充和载流子的动力学非常相似。因此,这两种技术是互补的。所获得的阴极发光图像显示了台面内部发射的强度分布。这些图像的空间分辨率约为100 nm,是另一种技术(微光致发光)的分辨率的五倍。总而言之,我们已经证明,光谱学和阴极发光成像与电子显微镜的观察相结合,是迄今为止很少用于量子点的结构和光谱分析的强大技术。

著录项

  • 作者

    Gaudreau, Francois.;

  • 作者单位

    Universite de Sherbrooke (Canada).;

  • 授予单位 Universite de Sherbrooke (Canada).;
  • 学科 Physics Condensed Matter.
  • 学位 M.Sc.
  • 年度 2004
  • 页码 62 p.
  • 总页数 62
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 O49;
  • 关键词

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