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第1章 绪论
1.1 智能卡芯片的研究现状及发展趋势
1.2 嵌入式闪存的研究现状及发展趋势
1.3 本课题的研究目的和意义
1.4 本文的内容安排
第2章 嵌入式闪存概述
2.1 嵌入式闪存的发展历程
2.2 嵌入式闪存的工作原理
2.2.1 嵌入式闪存的基本单元
2.2.2 嵌入式闪存的编程机制
2.2.3 嵌入式闪存的擦除机制
2.3 嵌入式闪存的分类及特点
2.3.1 NOR型闪存与NAND型闪存
2.3.2 双层多晶硅闪存与单层多晶硅闪存
2.4 嵌入式闪存技术发展趋势
2.5 本章小结
第3章 嵌入式闪存的应用特点
3.1 嵌入式闪存工艺特点
3.2 嵌入式闪存IP
3.2.1 嵌入式闪存IP架构
3.2.2 嵌入式闪存IP的特点
3.3 嵌入式闪存的晶圆测试
3.3.1 芯片晶圆测试介绍
3.3.2 嵌入式闪存的测试方法
3.4 嵌入式闪存的选择
3.4.1 嵌入式闪存的用途
3.4.2 嵌入式闪存的容量
3.4.3 嵌入式闪存的性能及可靠性
3.5 本章小结
第4章 BES1332EF的嵌入式闪存选择
4.1 BES1332EF的存储需求
4.2 BES1332EF中eFlash的选择
4.3 PF32K09E介绍
4.3.1 PF32K09E结构
4.3.2 PF32K09E的技术特点
4.4 本章小结
第5章 使用嵌入式闪存的BES1332EF物理设计
5.1 BES1332EF智能卡芯片简介
5.2 芯片物理设计流程
5.2.1 基于Astro的通用物理设计流程
5.2.2 使用嵌入式闪存的物理设计流程
5.3 嵌入式闪存的电源网络设计
5.4 嵌入式闪存的布局布线
5.5 嵌入式闪存的天线效应预防
5.6 嵌入式闪存的测试引脚设置
5.7 本章小结
第6章 结果与分析
6.1.BES1332EF物理版图分析
6.2 BES1332EF与BES1300比较
6.3 本章小结
结 论
参考文献
攻读硕士学位期间发表的学术论文
致 谢