声明
摘要
第1章绪论
1.1课题背景及研究的目的和意义
1.2国内外研究现状
1.2.1IGBT器件均流特性的相关研究
1.2.2芯片筛选的相关研究
1.3现有研究中存在的问题
1.4本文主要工作内容
第2章IGBT芯片并联的双脉冲等效电路模型
2.1IGBT芯片的工作机理
2.2IGBT芯片基本特性
2.2.1IGBT芯片静态特性与静态特性实验
2.2.2IGBT芯片动态特性与动态特性实验
2.3IGBT芯片的建模与验证
2.3.1IGBT芯片建模
2.3.2IGBT芯片模型验证
2.4多芯片并联双脉冲等效电路模型
2.5本章小结
第3章IGBT单一芯片参数的瞬态均流影响
3.1瞬态均流研究的相关评价指标
3.1.1IGBT芯片参数分散性指标
3.1.2瞬态均流评价指标
3.2单一芯片参数的瞬态均流影响分析
3.2.1IGBT芯片阈值电压瞬态均流影响分析
3.2.2IGBT芯片棚极内阻瞬态均流影响分析
3.2.3IGBT芯片跨导瞬态均流影响分析
3.2.4IGBT芯片极间电容瞬态均流影响分析
3.2.5IGBT芯片参数瞬态均流影响规律
3.3本章小结
第4章考虑芯片参数综合影响的芯片筛选方法
4.1芯片参数的瞬态均流综合影响分析
4.2IGBT芯片筛选方法
4.2.1筛选方法
4.2.1筛选方法验证
4.3与传统筛选方法对比
4.4本章小结
5.1结论
5.2展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果
致谢
华北电力大学华北电力大学(北京);