声明
摘要
第1章绪论
1.1课题研究背景及意义
1.2国内外研究现状
1.3本文主要研究内容
第2章碳化硅MOSFET的温敏特性
2.1碳化硅MOSFET温敏特性实验平台
2.1.1静态参数温敏特性实验平台
2.1.2动态参数温敏特性实验平台
2.2碳化硅MOSFET温敏特性分析
2.2.1静态参数温敏特性
2.2.2动态参数温敏特性
2.3本章小结
第3章碳化硅MOSFET温敏电参数在线应用分析
3.1温敏电参数在线应用工况分析
3.1.1驱动正向偏置电压
3.1.2驱动电阻
3.1.3母线电压
3.1.4负载电流
3.2温敏电参数在线提取方法分析
3.2.1栅源极电压量
3.2.2导通电阻
3.2.3开关延时
3.2.4开关瞬态变化率
3.3本章小结
第4章BTI对碳化硅MOSFET温敏电参数的影响
4.1 BTI实验平台
4.1.1BTI实验方案
4.1.2BTI实验平台搭建
4.2BTI实验结果分析
4.2.1PBTI
4.2.2NBTI
4.2.3BTI对结温测量的影响
4.3本章小结
5.1结论
5.2展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果
致谢
作者简介
华北电力大学华北电力大学(北京);