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纳米氮化物、碳化物和三元硫化物的溶剂热合成与表征

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目录

文摘

英文文摘

第一章纳米材料的研究进展

§1.1引言

§1.2纳米材料的分类

§1.3纳米微粒的结构和特性

§1.3.1纳米微粒的结构

§1.3.2纳米微粒特性

§1.4纳米固体的结构和性能

§1.4.1纳米固体的结构

§1.4.2纳米材料的性能

§1.5纳米材料的用途

§1.6纳米材料的制备方法及其进展

§1.6.1纳米材料的制备方法回顾

§1.6.2碳化硅和氮化硅等纳米陶瓷的制备方法及进展

§1.6.3低维纳米材料的制备技术新进展

§1.7本章小结

参考文献

第二章还原-氮化和固相加压合成路线制备纳米氮化物

§2.1引言

§2.2还原-氮化路线制备Si3N4纳米晶

§2.2.1反应路线设计

§2.2.2制备方法与样品表征

§2.2.3反应温度和时间的影响

§2.2.4可能的反应机理

§2.3苯热合成路线制备TiN和ZrN纳米晶

§2.3.1反应路线设计

§2.3.2制备方法与样品表征

§2.3.3反应温度和时间的影响

§2.3.4苯热反应的可能机理

§2.4 BN纳米晶的固相加压合成

§2.4.1反应路线设计

§2.4.2制备方法与样品表征

§2.4.3反应温度、时间及NH4C1的量对BN形成的影响

§2.4.4反应的可能机理

§2.5 GaN纳米晶的合成

§2.5.1反应路线设计

§2.5.2制备方法与物相鉴定

§2.6本章小结

参考文献

第三章还原-碳化路线制备SiC和TiC纳米晶

§3.1引言

§3.2还原-碳化路线制备纳米SiC

§3.2.1反应路线的设计

§3.2.2制备方法与样品表征

§3.2.3反应温度和时间的影响

§3.2.4可能的反应机理

§3.3还原-碳化路线制备SiC纳米线

§3.3.1反应路线的设计

§3.3.2制备方法与样品表征

§3.3.3反应温度和时间的影响

§3.3.4 SiC纳米线生长的可能机制

§3.4还原-碳化路线制备TiC纳米晶

§3.4.1反应路线的设计

§3.4.2制备方法与样品表征

§3.4.3反应温度和时间的影响

§3.4.4反应的可能机理

§3.5本章小结

参考文献

第四章Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元硫化物纳米半导体的合成

§4.1引言

§4.2 AgGaS2和AgInS2纳米晶的溶剂热合成

§4.2.1制备方法和产物表征

§4.2.2反应条件的影响

§4.2.3反应机理的初步探讨

§4.3 AgGaS2、α-Ag9GaS6和CuGaS2纳米晶的水热合成

§4.3.1制备方法和产物表征

§4.3.2反应机理的初步研究

§4.4 AgInS2和AgIn5S8纳米晶的水热合成及相控制

§4.4.1制备方法和产物表征

§4.4.2反应机理初步分析

§4.5本章小结

参考文献

第五章三元硫化物半导体纳米棒和管状晶体Ag2Se的水热合成

§5.1引言

§5.2 CuFeS2纳米棒的水热合成

§5.2.1反应路线的设计

§5.2.2制备方法与样品表征

§5.2.3反应条件及不同硫源的影响

§5.3 CdInS4纳米棒的水热合成

§5.3.1反应路线设计

§5.3.2制备方法与样品表征

§5.3.3反应机理初步研究

§5.4 AgBiS2、Cu3BiS3、Pb1-BiS2x/3和Ag3CuS2等矿物半导体纳米晶的水热合成

§5.4.1反应路线设计

§5.4.2制备方法与样品表征

§5.4.3反应条件的影响

§5.5管状晶体Ag2Se的水热生长

§5.5.1反应路线设计

§5.5.2制备方法与样品表征

§5.5.3管状晶体生长的影响因素

§5.6本章小结

参考文献

附录:博士期间发表的论文

致谢

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摘要

该论文发展了快速还原--氮化、还原--碳化和固相加压反应等合成新路线,制备了纳米氮化物、碳化物;成功地将溶剂热合成技术推广到制备三元硫化物半导体纳米晶;首次采用水热歧化反应方法生长出具有管状结构形貌且尺寸大小在厘米范围的β-Ag<,2>Se晶体.

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