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摘要
第1章 绪论
1.1 正电子的发现和正电子湮没技术发展史
1.2 正电子湮没谱学实验原理
1.2.1 正电子源
1.2.2 正电子的热化和注入深度分布
1.2.3 正电子在固体中的湮没过程
1.2.4 正电子捕获模型
1.2.5 常用的正电子湮没表征参数
1.3 正电子湮没探测技术
1.3.1 正电子湮没寿命谱测量技术
1.3.2 正电子多普勒展宽谱测量技术
1.3.3 慢正电子束测量技术
1.3.4 脉冲慢正电子束寿命谱
1.4 正电子谱学方法在功能材料微观结构研究中的应用
1.4.1 微观结构缺陷对功能材料性能的影响
1.4.2 正电子湮没技术对功能材料中缺陷的表征
1.5 本论文工作简介与创新点
1.5.1 本论文研究工作的意义及主要内容
1.5.2 本论文的创新之处和特色
参考文献
第2章 非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20的正电子湮没谱学研究
2.1 非铁电压电复合陶瓷功能材料概述
2.1.1 非铁电压电功能材料的研究现状
2.1.2 非铁电压电复合陶瓷功能材料的研究现状及应用前景
2.1.3 非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20的研究现状
2.2 非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20的制备
2.3 非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20的结构分析
2.4 非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20的正电子寿命测量
2.4.1 不同烧结温度ST-BT陶瓷样品寿命谱分析
2.4.2 不同烧结时间ST-BT陶瓷样品寿命谱分析
2.5 非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20的符合多普勒展宽测量
2.5.1 不同烧结温度ST-BT陶瓷样品符合多普勒展宽测量
2.5.2 不同烧结时间ST-BT陶瓷样品符合多普勒展宽测量
2.6 非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20的介电性能
2.6.1 不同烧结温度ST-BT陶瓷样品的介电性能分析
2.6.2 不同烧结时间ST-BT陶瓷样品的介电性能分析
2.7 非铁电压电复合陶瓷SrTiO3-Bi12TiO20的压电性能
2.7.1 不同烧结温度ST-BT陶瓷样品的压电性能分析
2.7.2 不同烧结时间ST-BT陶瓷样品的压电性能分析
2.8 本章小结
参考文献
第3章 Fe掺杂光催化二氧化钛功能材料缺陷机理的正电子研究
3.1 半导体光催化二氧化钛功能材料概述
3.1.1 半导体光催化二氧化钛的发展及其光催化原理
3.1.2 光催化二氧化钛过渡金属掺杂改性的研究进展
3.1.3 光催化二氧化钛的晶格结构及正电子研究进展
3.2 Fe掺杂二氧化钛薄膜的制备
3.3 Fe掺杂二氧化钛薄膜的结构表征
3.4 Fe掺杂二氧化钛薄膜的紫外可见波段吸收光谱实验
3.5 Fe掺杂二氧化钛薄膜的光催化降解实验
3.6 Fe掺杂光催化二氯化钛薄膜的慢正电子束研究
3.7 Fe-TiO2薄膜的微观结构缺陷对和光催化活性的影响
3.8 本章小结
参考文献
第4章 正电子对铜铟锡太阳能电池薄膜的缺陷研究
4.1 铜铟锡太阳能电池薄膜功能材料概述
4.1.1 铜铟锡太阳能电池薄膜功能材料的发展背景
4.1.2 铜铟锡太阳能电池薄膜的结构性质及性能
4.1.3 铜铟锡太阳能电池薄膜的正电子研究进展
4.2 铜铟锡太阳能电池薄膜的典型结构和制备
4.3 铜铟锡太阳能电池薄膜的脉冲慢正电子束寿命测量
4.4 铜铟锡太阳能电池薄膜的慢正电子束分析
4.5 本章小结
参考文献
第5章 钛酸钡陶瓷的正电子湮没谱学研究
5.1 钛酸钡陶瓷介电材料概述
5.1.1 钛酸钡陶瓷的晶体结构
5.1.2 钛酸钡陶瓷的制备方法
5.1.3 掺杂钛酸钡陶瓷的研究进展
5.1.4 碳酸钡陶瓷的正电子研究进展
5.2 不同烧结过程钛酸钡陶瓷的微观缺陷和宏观介电性能
5.2.1 不同烧结过程下钛酸钡陶瓷的制备
5.2.2 不同烧结过程钛酸钡陶瓷的XRD分析
5.2.3 不同烧结过程钛酸钡陶瓷的正电子湮没寿命谱测量及分析
5.2.4 不同烧结过程钛酸钡陶瓷的介电性能测量及分析
5.3 Sn掺杂钛酸钡陶瓷的微观缺陷和宏观介电性能
5.3.1 Sn掺杂钛酸钡陶瓷的制备
5.3.2 Sn掺杂钛酸钡陶瓷的XRD分析
5.3.3 Sn掺杂钛酸钡陶瓷的正电子湮没寿命谱测量及分析
5.3.4 Sn掺杂钛酸钡陶瓷的符合多普勒展宽谱实验
5.3.5 Sn掺杂钛酸钡陶瓷的介电性能测量及分析
5.4 本章小结
参考文献
第六章 总结语
致谢
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果