声明
1 绪论
1.1 论文研究背景
1.2 二氧化钒的结构与性能
1.3 二氧化钒的应用前景
1.4 本文选题背景和研究内容
2 二氧化钒纳米材料的制备及其表征方法
2.1 二氧化钒制备简介
2.2 二氧化钒纳米材料的制备方法
2.3 二氧化钒的常用表征方法
2.4 二氧化钒电学特性表征
2.5 二氧化钒物质性质表征-范德堡法测试薄膜电阻率
2.6 本章小结
3 单晶二氧化钒薄膜的制备及其性能研究
3.1 研究背景
3.2实验方案(Vapor-solid method)
3.3管式炉制备二氧化钒薄膜工艺研究
3.4管式炉生长二氧化钒薄膜基于不同衬底的研究
3.5管式炉生长二氧化钒薄膜的结果与分析
3.6二氧化钒薄膜真空计设计
3.7本章小结
4 基于二氧化钒的M OS F ET器件的制作和性能研究
4.1研究背景
4.2二氧化钒MOSFET器件工艺
4.3二氧化钒MOSFET器件特性和MIT的调控
4.4二氧化钒MOSFET结构的真空计优化研究
4.5本章小结
5结论
5.1总结
5.2展望
致谢
参考文献
附录
东华理工大学;