钼掺杂二氧化钒薄膜生长及器件制备

目录

声明

1绪论

1.1引言

1.2二氧化钒的研究现状

1.2.1二氧化钒的晶体结构

1.2.2相变机理

1.2.3二氧化钒的应用

1.3掺杂二氧化钒的研究进展

1.4掺杂二氧化钒薄膜制备方法

1.4.1真空蒸镀法

1.4.2溅射法

1.4.3溶胶、凝胶法

1.4.4化学气相沉积法

1.5论文的选题背景和研究内容

1.5.1选题背景

1.5.2本文主要研究内容

2钼掺杂二氧化钒纳米薄膜的生长结构和形貌的表征

2.1 VS生长法制备钼掺杂二氧化钒纳米薄膜

2.1.1实验装置和实验原材料

2.1.2 VS生长法制备二氧化钒纳米薄膜的生长机理

2.1.3 VS法制备钼掺杂的二氧化钒纳米薄膜生长过程

2.2钼掺杂二氧化钒纳米薄膜的形貌和结构分析

2.2.1掺杂二氧化钒纳米薄膜表征方法

2.2.2掺杂二氧化钒纳米薄膜的形貌表征

2.3本章小结

3钼掺杂二氧化钒薄膜相变及光电特性分析

3.1钼掺杂二氧化钒薄膜的电极制备

3.1.1实验方案

3.1.2光刻工艺

3.1.3刻蚀工艺

3.1.4金属电极制作工艺

3.1.5退火工艺

3.2钼掺杂二氧化钒薄膜的特性分析

3.2.1掺杂对二氧化钒薄膜相变温度的影响

3.2.2真空度对掺杂二氧化钒薄膜电阻的影响

3.2.3掺杂二氧化钒薄膜的光电响应性能研究

3.3本章小结

4掺杂二氧化钒MOSFET器件的性能研究

4.1研究背景

4.2基于二氧化钒MOSFET器件结构的设计与制备

4.2.1 MOSFET结构的设计

4.2.2 MOSFET器件的制备

4.3 MOSFET器件的性能测试

4.3.1 MOSFET器件的电学特性

4.3.2 MOSFET器件的光学性能特性

4.4本章小结

5总结与展望

5.1总结

5.2展望

致谢

参考文献