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摘要
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 半导体光催化技术简述
1.2.1 半导体光催化技术机理
1.2.2 半导体光催化技术的实际应用
1.3 纳米TiO2复合物的研究现状
1.3.1 g-C3N4/TiO2复合物
1.3.2 Bi2O3/TiO2复合物
1.3.3 钛酸铋系化合物/TiO2复合物
1.4 研究意义、目的及研究内容
1.4.1 研究意义及目的
1.4.2 研究内容
1.5 主要创新点
第2章 实验部分
2.1 实验试剂
2.2 实验仪器与装置
2.3 光催化剂的表征方法
2.3.1 X射线衍射表征方法
2.3.2 X射线光电子能谱表征方法
2.3.3 傅里叶变换红外光谱表征方法
2.3.4 紫外-可见吸收光谱
2.3.5 光致发光光谱
2.3.6 透射电子显微镜表征方法
2.3.7 N2吸附脱附分析
2.4 光催化剂的活性评价
第3章 Bi4Ti3O12/Bi2O3/TiO2催化剂的制备及光催化性能研究
3.1 Bi4Ti3O12/Bi2O3/TiO2光催化剂的制备
3.2 Bi4Ti3O12/Bi2O3/TiO2光催化剂的表征及其结果分析
3.2.1 XRD分析
3.2.2 XPS分析
3.2.3 FT-IR分析
3.2.4 UV-Vis分析
3.2.5 PL分析
3.2.6 TEM分析
3.3.7 N2吸附脱附分析
3.3 Bi4Ti3O12/Bi2O3/TiO2光催化剂的活性评价
3.3.1 对照实验
3.3.2 不同比例对光催化活性的影响
3.3.3 不同煅烧温度对光催化活性的影响
3.3.4 不同煅烧时间对光催化活性的影响
3.4 Bi4Ti3O12/Bi2O3/TiO2光催化剂的光催化机理
3.5 本章小结
第4章 Bi2O3/g-C3N4/TiO2催化剂的制备及光催化性能研究
4.1 Bi2O3/g-C3N4/TiO2光催化剂的制备
4.2 Bi2O3/g-C3N4/TiO2的光催化剂的表征及其结果分析
4.2.1 XRD分析
4.2.2 XPS分析
4.2.3 FT-IR分析
4.2.4 UV-Vis分析
4.2.5 PL分析
4.2.6 TEM分析
4.2.7 N2吸附脱附分析
4.3 Bi2O3/g-C3N4/TiO2光催化剂的活性评价
4.3.1 不同Bi含量对光催化活性的影响
4.3.2 不同煅烧温度对光催化活性的影响
4.3.3 不同煅烧时间对光催化活性的影响
4.3.4 不同g-C3N4和TiO2配比对光催化活性的影响
4.4 Bi2O3/g-C3N4/TiO2光催化剂的光催化机理
4.5 本章小结
第5章 La掺杂TiO2/g-C3N4催化剂的制备及光催化性能研究
5.1 引言
5.2 La掺杂TiO2/g-C3N4光催化剂的制备
5.3 La掺杂TiO2/g-C3N4光催化剂的表征及其结果分析
5.3.1 XRD分析
5.3.2 XPS分析
5.3.3 FT-IR分析
5.3.4 UV-Vis分析
5.3.5 PL分析
5.3.6 TEM分析
5.3.7 N2吸附脱附分析
5.4 La掺杂TiO2/g-C3N4光催化剂的活性评价
5.4.1 不同La含量对光催化活性的影响
5.4.2 不同g-C3N4和TiO2配比对光催化活性的影响
5.5 La掺杂TiO2/g-C3N4光催化剂的光催化机理
5.6 本章小结
第6章 结论与展望
6.1 全文总结
6.2 工作展望
参考文献
致谢
在学期间发表论文及参加课题情况
重庆工商大学;