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摘要
第一章 绪论
1.1 研究背景
1.2 石墨烯的电子结构
1.3 石墨烯的性质
1.3.1 反常量子霍尔效应
1.3.2 双极场效应
1.3.3 光学性质
1.3.4 机械性能
1.3.5 热学性质
1.4 石墨烯的制备方法
1.4.1 机械剥离法
1.4.2 化学还原法
1.4.3 SiC热解
1.4.4 裁剪碳纳米管(CNTs)
1.4.5 化学气相沉积(CVD)
1.5 Cu村底上CVD生长大尺寸单晶石墨烯的研究现状及存在的问题
1.5.1 Cu村底处理——电化学抛光+高压退火
1.5.2 在包覆的Cu箔结构内壁生长
1.5.3 再凝固的Cu村底
1.5.4 采用富氧的Cu村底
1.6 绝缘村雇上石墨烯CVD生长的研究现状及存在的问题
1.7 石墨烯包覆铜箔的抗氧化作用的研究现状及存在的问题
1.8 本论文的选题背景与研究内容
1.8.1 选题背景
1.8.2 本论文的研究内容
参考文献
第二章 SiO2衬底上石墨烯的CVD生长及应变研究
2.1 研究背景
2.1.1 绝缘衬底上直接CVD生长石墨烯的研究现状
2.1.2 石墨烯的应变与拉曼峰的位移
2.2 SiO2村底上graphene的制备与表征
2.2.1 实验设备
2.2.2 石墨烯的生长
2.2.3 石墨烯的转移
2.2.4 石墨烯的表征方法
2.2.5 SiO2/Si衬底上直接生长的石墨烯的形貌分析
2.2.6 石墨烯的拉曼表征
2.3 不同生长时间下石墨烯的压应变与尺寸的依赖关系
2.3.1石墨烯拉曼谱2D峰蓝移的原因分析
2.3.2 SiO2/Si村底上直接生长的石墨烯中的压应变
2.3.3 SiO2/Si村底上直接生长的石墨烯中的应变释放的分析
2.4 SiO2/Si衬底上直接生长石墨烯的生长机理探讨与生长调控
2.4.1 多孔卷曲Cu箔在生长过程中的作用
2.4.2 村底与Cu箔不同距离的生长结果比较
2.4.3 催化Cu箔的反复利用
2.4.4 石英衬底上直接生长的石墨烯的透光性能
2.4.5 SiO2/Si衬底上直接生长石墨烯的生长调控
2.5 本章小结
参考文献
第三章 石墨烯包覆铜箔的抗氧化作用研究
3.1 研究背景
3.2 单层多层共存石墨烯的CVD生长及表征
3.2.1 单层多层共存石墨烯的CVD生长
3.2.2 单层多层共存石墨烯的表征
3.3 石墨烯保护下的铜的抗氧化性
3.3.1 氧化实验条件的选择
3.3.2 有石墨烯保护的铜金属的抗氧化结果
3.4 不同层散石墨烯保护的铜村底的氧化机理
3.4.1 不同层数石墨烯保护下氧化通道的形成及氧化过程
3.4.2 不同层数石墨烯保护下铜的氧化速率与氧化反应位点的关系
3.4.3 单层石墨烯保护下缺陷数量对反应速率的影响
3.5 本章小结
参考文献
第四章 石墨烯生长的成核控制及大面积单晶制备
4.1 研究背景
4.2 石墨烯成核密度的控制
4.2.1 成核密度控制方法——减少碳源
4.2.2 成核密度控制方法——升温退火对衬底的处理
4.3 石墨烯的二次生长
4.3.1 二次生长——降低CH4浓度
4.3.2 二次生长——升高温度
4.4 CuO衬底上大面积单晶石墨烯的生长
4.5 本章小结
参考文献
第五章 展望
致谢
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