二维材料MoX2(S,Se)性质的第一性原理计算

目录

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第一章 绪论

1.1概述

1.1.1过渡金属双卤化合物

1.1.2拉曼光谱

1.2选题依据和研究背景

1.2.1单层MoS2的研究背景

1.2.2单层MoSe2的研究背景

1.3本文主要研究内容

第二章 计算理论基础概述

2.1研究背景

2.2第一性原理

2.2.1第一性原理简介

2.2.2非相对论近似

2.2.3绝热近似

2.2.4 Hartree-Fock近似

2.3密度泛函理论

2.3.1简介

2.3.2 Hohenberg-Kohn定理

2.3.3 Kohn-Sham方程

2.3.4局域密度近似和广义梯度近似

2.4本章小结

第三章 缺陷单层MoS2拉曼光谱和光学性质的第一性原理计算

3.1单层MoS2研究背景

3.2计算模型与方法

3.3计算结果与讨论

3.3.1 1-3层MoS2拉曼光谱

3.3.2缺陷单层MoS2的拉曼光谱

3.3.3空位缺陷形成能

3.3.4光学性质

3.4本章小结

第四章 双轴应变条件下单层MoSe2电子结构和拉曼光谱的第一性原理计算

4.1单层MoSe2的研究背景

4.2模型与计算方法

4.3结果与讨论

4.3.1单层MoSe2电子结构

4.3.2应变对电子结构的影响

4.3.3拉曼光谱和声子色散

4.3.4应变对拉曼光谱的影响

4.3.5应变对声子散射的影响

4.4本章小结

第五章 全文总结与展望

参考文献

硕士期间研究成果

致谢