二维层状材料In2Se3的脉冲激光沉积制备以及微、纳米尺度电学性能表征

目录

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第一章 绪论

1.1 引言

1.2 二维材料简介

1.2.1 二维材料

1.2.2 二维III-VI族层状材料

1.3 二维In2Se3材料的研究现状

1.4 本论文的主要研究内容与研究思路

第二章 In2Se3薄膜的制备方法与表征

2.1 制备方法

2.1.1 机械剥离法

2.1.2 物理气相沉积法

2.1.3 化学气相沉积法

2.1.4 脉冲激光沉积法

2.2 In2Se3薄膜的主要表征方法

2.2.1 物相结构分析——X射线衍射(XRD)

2.2.2 元素价态分析——X 射线光电子能谱（XPS）

2.2.3 微观形貌及电学性能分析——AFM

2.2.4 拉曼光谱分析——Raman

2.2.5 压电力显微镜——PFM

2.2.6 导电原子力显微镜——C-AFM

2.2.7 薄膜厚度与光学特性分析——椭偏仪

第三章 衬底温度对In2Se3薄膜生长的影响

3.1 样品的制备

3.2 衬底温度对In2Se3薄膜的相结构及性能影响

3.2.1 衬底温度对In2Se3薄膜的相结构的影响

3.2.2 衬底温度对In2Se3薄膜的厚度及折射率的影响

3.2.3 衬底温度对In2Se3薄膜的表面形貌及粗糙度的影响

3.2.4 In2Se3薄膜的元素价态分析

3.2.5 衬底温度对In2Se3薄膜的拉曼光谱的影响

3.2.6 衬底温度对In2Se3薄膜的电学性能影响

3.2.7 衬底温度对In2Se3薄膜电输运特性的影响

3.3 本章小结

第四章 真空压强对In2Se3薄膜生长的影响

4.1 样品的制备

4.2 实验结果与分析

4.2.1 变真空压强系列In2Se3薄膜的XRD结构分析

4.2.2 变真空压强系列In2Se3薄膜的厚度及折射率

4.2.3 变真空压强系列In2Se3薄膜的表面形貌及粗糙度分析

4.2.4 变真空压强系列In2Se3薄膜的拉曼光谱分析

4.2.5 用PFM对真空压强系列In2Se3薄膜的电学性质分析

4.2.6 变真空压强系列In2Se3薄膜电输运特性的研究

4.3 本章小结

第五章 In2Se3薄膜的厚度依赖特性研究

5.1 样品的制备

5.2 实验结果与讨论

5.2.1 不同厚度In2Se3薄膜的相结构分析

5.2.2 不同厚度In2Se3薄膜的厚度及折射率

5.2.3 不同厚度In2Se3薄膜的表面形貌及粗糙度分析

5.2.4 不同厚度In2Se3薄膜的拉曼光谱分析

5.2.5 用PFM对不同厚度In2Se3薄膜的电学性质分析

5.2.6 不同厚度In2Se3薄膜电输运特性的研究

5.3 本章小结

第六章 全文总结

参考文献

硕士在读期间成果

致谢