声明
第一章 绪论
1.1 研究背景和意义
1.2 纵向功率MOS 器件简介
1.3 功率器件的耐压特性
1.4 论文工作安排
第二章 SJ 耐压层和高K介质耐压层的对比研究
2.1 SJ 耐压层结构
2.2 高K 介质耐压层
2.2.1高K介质耐压层原理分析
2.2.2击穿电压BV和比导通电阻Ron,sp
2.3 SJ 结构和HK 结构对比
2.4 本章小结
第三章 界面电荷的存在对HKMOS 器件的影响分析
3.1 界面电荷的模型推导
3.2界面电荷对电通量和电场的影响
3.3界面电荷对导通电阻和击穿电压的影响
3.4 本章小结
第四章 新型C-HKMOS器件的研究
4.1 C-HKMOS 器件结构
4.2 C-HKMOS 的电通量和电场的分析和优化
4.2.1 C-HKMOS 器件的电通量分析和额外补偿电荷的优化
4.2.2 C-HKMOS 器件的电场的分析和优化
4.3 C-HKMOS 的比导通电阻和击穿电压的关系
4.3.1 C-HKMOS 器件比导通电阻
4.3.2 C-HKMOS 器件击穿电压
4.3.3 C-HKMOS 器件击穿电压和比导通电阻的优化
4.5 本章小结
总结与展望
致 谢
参考文献
西南交通大学;