TEOS射频辉光放电分解淀积P-SiO和P-SiON薄膜的研究

摘要

该文是利用等离子体化学气相淀积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),在低温低压下,使用有机物TEOS(正硅酸四乙脂,Tetraethylorthosilicate,Si(C<,2>H<,5>O)<,4>)为反应源在硅片表面上生长P-SiO<,2>介质膜以及P-SiON钝化膜,利用制程参数(RF功率、基板温度、气体流量以及反应压力)的改变,来探讨对薄膜的生长特性、硬度、应力、附着性及折射率的影响.通过实验研究可以看出,与传统的SiH<,4>系SiO<,2>介质膜和SiON钝化膜相比,TEOS系薄膜作为介质膜和表面钝化膜具有膜质优良、可控性好的特点.其次,在大生产中,具有安全性好、成本低廉的优点.可广泛推广应用于IC的制造工艺中.

目录

文摘

英文文摘

致谢

插图清单

第一章 绪论

第一节 微电子工业中等离子体技术的兴起

第二节 薄膜淀积技术的发展

第三节 本文的研究对象及主要内容

第二章 等离子体物理基础及CVD工艺

第一节 等离子增强化学气相淀积技术

第二节 SiO2薄膜的的生长

第三节 SiON薄膜的淀积

第三章 系统设计与实验方法

第一节 实验装置系统

第二节 实验材料

第三节 实验流程

第四节 工艺条件与实验步骤

第五节 测试与分析

第四章 薄膜分析——P-SiO2

第一节 P-SiO2薄膜结构分析

第二节 P-SiO2薄膜的生长特性

第三节 P-SiO2薄膜的膜质

第四节 P-SiO2薄膜的附着性

第五章 薄膜分析——P-SiON

第一节 P-SiON薄膜结构分析

第二节 P-SiON薄膜的生长特性

第三节 P-SiON薄膜的膜质

第四节 P-SiON薄膜的附着性

第六章 结论

第一节 P-SiO2薄膜结论

第二节 P-SiON薄膜结论

第七章 结束语

参考文献