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第一章 绪论
1.1 纳米材料简介
1.2 半导体准一维纳米材料的合成
1.2.1 一维纳米结构的气相合成方法
1.2.2 液相合成方法
1.2.3 自上至下的方法合成一维纳米结构
1.3 纳米器件简介
1.4 本课题研究背景
第二章 镓(Ga)掺杂CdS纳米线的合成与表征
2.1 合成药品及实验所需设备
2.2 CdS:Ga纳米线的合成
2.3 CdS:Ga纳米线的表征
2.3.1 X射线衍射分析(XRD)
2.3.2 扫描电子显微镜分析(SEM)
2.3.3 高分辨透射电子显微镜分析(HRTEM)
2.3.4 X射线光电子能谱分析(XPS)
2.4 本章小结
第三章 CdS:Ga纳米线底栅场效应管的制备与表征
3.1 底栅场效应管制备所需实验药品及设备
3.2 底栅场效应管的制备工艺
3.3 底栅场效应管的制备与表征
3.3.1 底栅场效应管的制备
3.3.2 底栅场效应管的电学特性
3.4 不同掺杂浓度的CdS:Ga纳米线的光电特性
3.5 本章小结
第四章 CdS:Ga纳米线项栅场效应管的制备与表征
4.1 顶栅场效应管制各所需实验药品及设备
4.1 顶栅场效应管的制备工艺
4.3 顶栅场效应管的制备与表征
4.4 本章小结
第五章 基于CdS:Ga纳米线的发光器件
5.1 发光器件的制备步骤
5.2 发光器件表征
第六章 全文总结
参考文献
攻读硕士学位期间发表论文情况