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马藏敏;
广西大学;
机译:使用金属有机化学气相沉积法在单根n-GaN纳米线的m和r面上生长的InGaN / GaN多量子阱异质结构的不同特性
机译:在不同温度下生长的InGaN / GaN多量子阱异质结构中的发光和激射
机译:GaN盖层生长后的热退火工艺对InGaN / InGaN多量子阱的结构和光学性质的影响
机译:使用不同的生长参数,通过MOCVD生长的InGaN / GaN多量子阱结构的表面形态和光学性质
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:具有不同GaN盖层厚度InGaN / GaN多量子阱的光学性质的研究
机译:选择性生长的GaN微平面上的InGaN / GaN多量子阱以及无荧光白光发光二极管的应用
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:/ InGaN / GaN多量子阱结构层的制造方法
机译:表面等离子体增强型Ingan / GaN多量子阱光电极及其制备方法
机译:GaN纳米针的无催化剂生长及其在InGaN / GaN可见光LED中的应用
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