n-AIGalnP欧姆接触制备及AIGalnP薄膜LED优化设计

目录

声明

第1章引言

1.2.2LED的应用与市场

1.3研究背景与意义

1.4AlGaInP LED中的主要问题

1.5本论文的主要研究内容

第2章Ⅲ-Ⅴ族半导体欧姆接触机理与制备工艺

2.1.1接触势垒的形成

2.1.2欧姆接触的形成机理

2.1.3欧姆接触中的电流输运机理

2.2Ⅲ-Ⅴ族半导体欧姆接触制备工艺

2.3欧姆接触的表征

2.3.1定性分析

2.3.2比接触电阻率测试

2.4常规AlGaInP LED的N型欧姆接触

第3章 AlGaInP薄膜LED芯片的N型AlGaInP欧姆接触研究

3.1实验方案

3.2n-AlGaInP的掺杂优化实验

3.2.1引言

3.2.2实验

3.2.3结果与讨论

3.2.4本节小结

3.3.1引言

3.3.2实验

3.3.3结果与讨论

3.3.4本节小结

3.4N电极结构设计实验

3.4.1引言

3.4.2实验

3.4.3结果与讨论

3.4.4本节小结

3.5.1引言

3.5.2实验

3.5.3结果与讨论

3.5.4本节小结

3.6本章小结

第4章 AlGaInP薄膜LED芯片的oDR结构优化设计

4.1.2表面粗化

4.1.3电流扩展层

4.2ODR结构优化设计

4.2.2金属反射镜层的优化

4.2.3中间介质层厚度的优化

4.2.4中间介质层材料的优化

4.3p-GaP生长厚度优化实验

4.3.1实验

4.3.2结果与讨论

4.3.3本节小结

4.4本章小结

第5章 AlGaInP LED器件仿真研究

5.1.2基本方程

5.2理论基础和物理模型

5.2.4量子尺寸效应

5.3.1AlGaInP体系材料性质

5.3.2器件结构

5.3.3结果与讨论

5.4本章小结

第6章结论

致谢

参考文献

攻读学位期间的研究成果