半户外LED显示屏红光芯片提亮技术的研究

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摘要

第一章绪论

1．1研究背景及意义

1．1．1 LED的发展

1．1．2 LED的应用

1．2 LED提亮的方法

1．2．1衬底剥离技术

1．2．2改变芯片的几何外形

1．2．3光子晶体

1．2．4小反射镜结构

1．3国内外研究现状

1．4本论文的技术方案与主要内容

1．4．1本论文的研究意义

1．4．2存在的问题和解决的方案

第二章MOCVD的应用及LED的制备分析

2．1引言

2．2 MOCVD组成

2．2．1 MOCVD气体运输部分

2．2．2 MOCVD生长反应室分系统

2．2．3 MOCVD尾气处理分系统

2．3制作AlGaInP红光LED的基本步骤

2．4 LED外延及芯片主要表征分析设备

2．4．2光致发光测试设备(PL)

2．4．3电化学微分电容电压法测试(ECV)

2．4．4 LED芯片点测机

2．4．5 LED分布光度计

2．5本章小结

第三章广谱DBR提亮研究

3．1 LED芯片制备工艺

3．1．1芯片制程工艺设计

3．1．2外延结构设计与优化

3．2广谱DBR结构提亮实验

3．3实验测试结果分析

3．4本章小结

第四章GaP粗化提亮研究

4．1引言

4．2粗化工艺方案设计

4．3粗化实验及结果分析

4．4本章小结

第五章P-AlInP限制层掺杂对红光芯片发光亮度的影响

5．1引言

5．2实验步骤

5．3实验结果与分析

5．3．1外延材料性质分析

5．3．2芯片亮度测试结果

5．4本章小结

第六章总结

参考文献

发表论文和参加科研情况说明

致谢