抗辐射功率集成电路的关键技术研究及实现

目录

声明

第一章 绪 论

1.1 论文研究的背景与意义

1.2 国内外研究现状

1.3 论文的主要工作和结构安排

第二章 功率集成电路抗辐射加固的基本原理

2.1 辐射效应对半导体器件的影响

2.1.1 剂量累积效应

2.1.2 单粒子效应

2.2 环栅器件的辐照加固原理

2.3 偏置状态对总剂量效应的影响

2.4 本章小结

第三章 跑道型器件的等效宽长比模型和验证

3.1 一维近似等效模型推导

3.1.1 长条形沟道宽长比模型

3.1.2 半圆环形器件的等效宽长比模型

3.2 等效宽长比模型的仿真及结果分析

3.2.1 器件基本电学特性的拟合

3.2.2 等效宽长比模型的仿真结果

3.3 模型误差分析

3.4 环栅器件总剂量效应仿真

3.5 本章小结

第四章 抗辐射功率集成电路关键技术的设计

4.1 标准器件环栅化设计

4.1.1 不同结构环栅器件的对比分析

4.1.2 标准工艺环栅器件建库

4.2 关键电路全 MOS化设计

4.2.1 DTMOS基本原理

4.2.2 DTMOS基准和预降压设计

4.3 关键泄漏电流补偿电路设计

4.3.1 辐照检测电路设计

4.3.2 抗辐照振荡器设计

4.4 关键模块负压加固设计

4.4.1 负压辐照加固对比芯片的设计

4.4.2 仿真结果

4.5 本章小结

第五章 抗辐射关键技术的流片及辐照实验

5.1 1.8V单管实验

5.2 5V单管实验

5.3 40V管实验

5.3.1 单管器件实验

5.3.2 功率管实验

5.4 电路模块实验

5.4.1 基准电路

5.4.2 预降压电路

5.5 负压辐照加固芯片

5.6 本章小结

第六章 全文总结与展望

6.1 全文总结

6.2 后续工作展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果