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第一章绪论
第二章Er2O3薄膜的生长技术和表征技术
第三章Er2O3薄膜的生长及其结构和电学特性
第四章Er2O3/Si的能带偏移
第五章Er2O3初始生长情况的SRPES研究
第六章Al(Pt)/Er2O3/p-Si结构的FN隧穿
攻读傅士学位期间发表的学术论文
致谢
论文独创性声明及使用授权声明
朱燕艳;
复旦大学;
高k材料,栅介质,分子束外延,三氧化二铒,外延生长,介电常数;
机译:Er与SiO_2薄膜的界面反应形成的高k Er硅酸盐栅介质的电学和结构性能
机译:高k栅堆叠的原子层沉积生长的掺Er HfO_2(Er〜15%)的介电性能
机译:Er与SiO2薄膜界面反应形成的高k Er硅酸盐栅介质的热稳定性
机译:沉积在HF最后表面上的高k栅堆叠的物理特性
机译:替代栅介质材料的技术开发和工艺集成;氧化。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:超薄siO2和siON栅介质材料中陷阱产生和电击穿的物理特性
机译:粒度和粒度分布对爆炸压实高T(sub c)超导体物理特性,形貌和晶体结构的影响
机译:高纯Er的制造方法,高纯,、由高纯Com构成的溅射靶以及以高纯Er为主要成分的金属栅膜
机译:使用牺牲栅电极材料和牺牲栅电介质材料形成金属栅电极的方法
机译:高K电介质材料和制造高K电介质材料的方法
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