TiO2--Al微纳连接界面行为及其对阻变行为影响机理的研究

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学位论文答辩信息表

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 传统Flash存储器

1.3 新型非易失性存储器

1.4 阻变存储器研究进展

1.5 选题意义和主要研究内容

第二章 器件制备及表征

2.1 薄膜制备技术

2.2 电极制备技术

2.3 材料表征方法

2.4 电学性能测试

2.5 试验工艺流程

第三章 Al/TiO2/FTO阻变器件及性能研究

3.1 引言

3.2 Al/TiO2/FTO阻变器件的制备

3.3 TiO2薄膜表征

3.4 电学性能测试

3.5 机理分析

3.6 膜厚对阻变行为的影响

3.7 本章小结

第四章 Al/TiO2/Ti阻变器件及性能研究

4.1 引言

4.2 Al/TiO2/Ti阻变器件的制备

4.3 TiO2纳米片表征

4.4 电学性能

4.5 机理分析

4.6 本章小结

第五章 界面工程对Al/TiO2/FTO阻变器件的性能调控

5.1 引言

5.2 阻变器件的制备

5.3 薄膜表征

5.4 TiOx层对Al/TiO2/FTO阻变器件的影响

5.5 ZnOx层对Al/TiO2/FTO阻变器件的影响

5.6 HfOx层对Al/TiO2/FTO阻变器件的影响

5.7 ZnOx/HfOx层对Al/TiO2/FTO阻变器件的影响

5.8 本章小结

第六章 结论与展望

6.1 结论

6.2 展望

参考文献

攻读学位期间取得的科研成果

致谢