不同种类助催化剂/半导体材料的构建及其光催化性能的研究

目录

声明

摘要

1．1．1引言

1．1．2半导体光催化原理

1．1．3半导体光催化的影响因素

1．1．4半导体光催化应用前景

1．2光催化材料

1．2．1 g-C3N4光催化材料的研究进展

1．2．2 ZnIn2S4光催化材料的研究进展

1．3助催化剂

1．3．1助催化剂改性原理

1．3．2助催化剂分类

1．4选题的内容及意义

参考文献

第二章Bi／g-C3N4简便原位合成及其光催化性能的探究

2．1引言

2．2实验与讨论

2．2．3测试与表征

2．2．4光催化产氢与降解

2．2．5光电化学(PEC)测试

2．3结果与讨论

2．3．1 Bi／g-C3N4纳米复合材料的相结构和形貌

2．3．2光催化的活性及其稳定性

2．3．3光学性质

2．3．4基于实验结果的光催化机理分析

2．4本章小结

参考文献

第三章N-CQDs／ZnIn2S4制备及其光催化产氢性能的研究

3．1引言

3．2实验与讨论

3．2．1实验试剂

3．2．2样品制备

3．2．3测试与表征

3．2．4样品的光催化

3．2．5光电流测试

3．3结果与讨论

3．3．1 N-CQDs／ZnIn2S4结构表征和表面形貌

3．3．2光催化活性及其稳定性

3．3．3光学性质

3．4本章小结

参考文献

第四章Ni1．8Cu0．2P／g-C3N4复合材料制备工艺的优化及其光电流性能的研究

4．1引言

4．2实验与讨论

4．2．1实验试剂

4．2．2样品制备

4．2．3测试与表征

4．3结论与讨论

4．3．1制备Ni1．8Cu0．2P双金属磷化物的工艺研究

4．3．2 Ni1．8Cu0．2P／g-C3N4的结构及其光电流性能的表征

4．4本章小结

参考文献

第五章总结与展望

致谢