碳化硅的硼热扩散掺杂及器件研制

目录

声明

1 绪论

1.1 研究背景及意义

1.2 中子半导体辐射探测器的发展与应用

1.3 碳化硅中子探测器的研究现状

1.4 本论文的主要内容

2 4H-SiC中子探测器的结构选择

2.1 中子探测的机理

2.2 金属-半导体接触理论

2.3 4H-SiC辐射探测器的常用器件结构

2.4 4H-SiC-PIN结的形成方式及选择

2.5 本章小结

3 基于4H-SiC的硼扩散的研制

3.1 硼在4H-SiC中的扩散机理

3.2 基于4H-SiC表面的硼源生长

3.3 高温退火后碳化硅表面残留物去除研究

3.4 高温退火后硼扩散的结果研究

3.5 本章小结

4 基于4H-SiC的PIN器件的研制

4.1 器件的制备

4.2 器件性能研究

4.3 本章小结

5 总结与展望

5.1 本论文研究工作总结

5.2 进一步研究工作展望

参考文献

攻读硕士学位期间发表学术论文情况

致谢