基于MOS控制晶闸管的高压电容放电特性研究

目录

声明

1 绪论

1.1 研究背景

1.2 电子安全与解除保险装置研究概况

1.3 CDU国内外研究概况

1.3.1 高压电容研究概况

1.3.2 高压开关研究概况

1.3.3 爆炸箔芯片研究概况

1.4 本论文主要研究内容与意义

（1）研究内容

（2）研究意义

2 基于MOS控制晶闸管的CDU 研究

2.1 MOS控制晶闸管

2.1.1 MCT的结构与工作机理

2.1.2 MCT的电学特性

2.1.3 MCT 的防护措施

2.1.4 封装对MCT的性能影响

2.2 高压陶瓷电容

2.2.1 电容型号对比

2.3.2 并联对电容性能的影响

2.3 CDU的设计与性能

2.3.1 CDU 的布局设计与制备

2.3.2 CDU 的短路放电特性

2.4 本章小结

3 Si基爆炸箔芯片研究

3.1 Si基爆炸箔芯片的结构设计

3.1.1 爆炸桥箔的设计

3.1.2 复合飞片理论设计

3.1.3 加速膛结构设计

3.2 Si基爆炸箔芯片的制备方法

3.2.1 光刻多晶Si制作桥箔

3.2.2 沉金调节桥箔电阻

3.2.3 复合飞片的制备

3.2.4 原位光刻制备加速膛

3.3 Si基爆炸箔芯片的性能表征

3.3.1 桥箔电爆特性

3.3.2 等离子体温度诊断

3.3.3 等离子体光辐射成像

3.3.4 复合飞片速度特征

3.4 本章小结

4 CDU的点火与起爆性能研究

4.1 CDU点火性能表征

4.1.1 Si-EFI 芯片的飞片冲击点火

4.1.2 MEMS-EFI与LTCC-EFI芯片的飞片冲击点火

4.2 CDU起爆性能表征

4.2.1 HNS-IV炸药的制备

4.2.2 Si-EFI 芯片的飞片冲击起爆

4.2.3 MEMS-EFI与LTCC-EFI芯片的飞片冲击起爆

4.3 本章小结

5 总结与展望

5.1 全文结论

5.2 创新点

5.3 工作展望

致谢

参考文献

附录