锑化物中红外带间级联激光器制备及性质研究

目录

第1章 绪 论

1.1 选题背景及研究的目的和意义

1.1.1 中红外光电子器件应用

1.1.2 锑化物带间级联激光器

1.2 Ⅲ-Ⅴ族Ⅱ类超晶格

1.2.1 半导体超晶格

1.2.2 InAs/GaSb 体系Ⅱ类超晶格

1.2.3 InAs/InAsSb 体系Ⅱ类超晶格

1.3 论文的主要研究内容

第2章 分子束外延技术简介

2.1 分子束外延技术

2.1.1 分子束外延系统构成

2.1.2 分子束外延的技术特点与优势

2.1.3反射式高能电子衍射仪

2.2 新型分子束系统设计

2.4 本章小结

第3章 InxGa1-xAsySb1-y多元合金外延生长与物性研究

3.1 不互熔隙内多元合金的研究意义

3.2 单分子层分布外延

3.3 InxGa1-xAsySb1-y合金外延与结构参数

3.3.1 不互熔隙内的InxGa1-xAsySb1-y合金材料外延过程

3.3.2 InxGa1-xAsySb1-y合金材料的结构参数

3.4 InxGa1-xAsySb1-y合金结构表征与性质研究

3.5 多元合金材料生长机制分析

3.6本章小结

第4章 InAs纳米结构嵌入式II型超晶格外延与物性研究

4.1超晶格结构变化的研究意义

4.2 InAs纳米结构嵌入式II型超晶格材料外延过程

4.3 InAs纳米结构嵌入式II型超晶格表征与性质研究

4.4 本章小结

第5章 InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y II型超晶格物性研究

5.1 多元合金超晶格研究意义

5.2 InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格外延与结构参数

5.2.1 InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格材料外延过程

5.2.2 InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格结构参数

5.3 InAs(Sb)/InxGa1-xAsySb1-y超晶格结构表征与性质研究

5.4 本章小结

第6章 结论与展望

6.1 结论及创新点

6.1.1 结论

6.1.2 创新点

6.2 展望

参考文献

攻读博士学位期间取得的成果

致谢