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李勇;
广东工业大学;
机译:通过氢化物气相外延产生高质量GaN晶体上的高质量GaN晶体
机译:了解GaN / Ingan Core-Shell Grang对高质量因素的高质量因素潜水廊,来自GaN棒上的非极性Ingan量子井
机译:利用金属迁移增强外延生长高质量GaN / GaN异质结的低温GaN外延生长
机译:alinn / GaN / Alinn / GaN多层缓冲器及其装置特征在alinn / GaN / Alinn / GaN的高质量GaN淘汰管理器的生长
机译:自动重构历史重构和动态组件自适应框架,用于基于重构的软件组件演化。
机译:GaN离子切片和在CMOS兼容Si(100)衬底上异质集成高质量GaN膜的热力学研究
机译:美容竞赛和其他个人文件的图片。研究过程和搜索“黑洞”的含义 - 基于Zygmunt Bauman传记的基于重构
机译:分子束外延生长高质量GaN中碳掺杂的系统研究
机译:用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译:表观生长的基质,制造基于GaN的半导体膜的过程,基于GaN的半导体膜,制造基于GaN的半导体发光元件和基于GaN的半导体发光元件的过程
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