铜-二氧化硅复合溶胶的制备及薄膜的电化学形成研究

目录

1 绪 论

1.1 研究背景

1.2 Cu(Ⅱ)-SiO2复合溶胶的制备方法

1.3.1 溶胶-凝胶法（Sol-gel）

1.3.2 电化学-溶胶凝胶法

1.4.1 论文的研究目的

1.4.2 论文的内容

2 实验部分

2.1.1 实验仪器

2.1.2 化学试剂

2.1.3 电极预处理

2.2 复合溶胶的制备

2.3 复合薄膜的制备及表征

2.4 电化学实验

2.4.1 循环伏安（CV）

2.4.2 线性电位扫描（LSV）

2.4.3 计时安培（CA）

2.4.4 交流阻抗（EIS）

3 Cu(Ⅱ)-SiO2复合溶胶的制备及其中Cu(Ⅱ)配合物的分布

3.1 Cu(Ⅱ)-SiO2复合溶胶制备

3.2 Cu(Ⅱ)-SiO2复合溶胶中Cu(Ⅱ)配合物的分布

3.2.1 不同pH复合溶胶（Ⅰ）中配合物的分布

3.2.2 不同nCu2+:nSiO2比值复合溶胶（Ⅱ）中配合物的分布

3.2.3 不同nCu2+:nCit3-比值复合溶胶（Ⅲ）中配合物的分布

3.3 小结

4 Cu-SiO2复合薄膜的制备及表征

4.1 复合薄膜的制备

4.1.1 不同pH复合溶胶（Ⅰ）中薄膜的制备

4.1.2 不同nCu2+∶nSiO2比值复合溶胶（Ⅱ）中薄膜的制备

4.1.3 不同nCu2+∶nCit3-比值复合溶胶（Ⅲ）中薄膜的制备

4.2 薄膜样品的XRD表征

4.3 小结

5 Cu-SiO2复合薄膜形成的电化学机理研究

5.1.1 循环伏安

5.1.2 线性电位扫描

5.1.3 计时安培

5.1.4 交流阻抗

5.2 不同nCu2+∶nSiO2复合溶胶（Ⅱ）中薄膜形成的电化学机理研究

5.2.1 循环伏安

5.2.2 线性电位扫描

5.2.3 计时安培

5.2.4 交流阻抗

5.3 不同nCu2+∶nCit3-复合溶胶（Ⅲ）中薄膜形成的电化学机理研究

5.3.1 循环伏安

5.3.2 线性电位扫描

5.3.3 计时安培

5.3.4 交流阻抗

5.4 小结

6 结论与建议

6.1 结论

6.2 建议

参考文献

附录

A. 作者在攻读硕士学位期间发表的论文

B. 学位论文数据集

致谢