二维CdTe和ZnTe薄膜参杂Cr的电子结构及磁性研究

目录

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第1章 绪 论

1.1 自旋电子学简介

1.1.1 自旋电子学的发展

1.1.2 自旋电子学的应用与未来

1.2 半导体自旋电子学简介

1.3 稀磁半导体基本情况

1.3.1 稀磁半导体的概念

1.3.2 稀磁半导体的发展历程

1.3.3 二维CdTe、ZnTe基稀磁半导体的研究现状

1.4 本论文研究的主要内容及意义

第2章 理论基础和计算方法

2.1 早期的近似方法

2.1.1 非相对论近似

2.1.2 绝热近似

2.1.3 Hartree-Fock近似

2.2 密度泛函理论

2.2.1 Thomas-Fermi模型

2.2.2 Hohenberg-Kohn定理

2.2.3 Kohn-Sham方程

2.3 交换关联泛函

2.3.2广义梯度近似

2.3.2 杂化密度近似

2.4 实际数值计算

2.4.1平面波基组展开

2.4.2赝势平面波法

2.5计算程序简介

第3章 二维CdTe和ZnTe薄膜掺杂Cr的电子结构及磁性研究

3.1 引言

3.2 计算模型与方法

3.3 结果与讨论

3.3.1 结构与稳定性

3.3.2 电子性质与能带

3.3.3 磁性

3.4 小结

第4章 总结与展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间的工作情况