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周斌;
电子科技大学;
梯度掺杂; 薄膜晶体管; 制备;
机译:系统研究接触电阻对不同几何形状电极的a-IGZO薄膜晶体管性能的影响
机译:钇掺杂对用作薄膜晶体管沟道层的a-IGZO薄膜的影响
机译:用不同射频功率制备的a-IGZO薄膜晶体管的传输特性
机译:A-IGZO薄膜晶体管的辐射性能研究
机译:激光喷涂制备Ti-TiN组成梯度涂层及其力学性能的研究
机译:电子束沉积栅极电介质对a-IGZO薄膜晶体管的沟道宽度相关性能和可靠性的比较研究
机译:热损坏微波退火,具有高效的能量转换,用于在柔性基板上制造高性能A-IGZO薄膜晶体管
机译:用于下一代显示器的原子层沉积制备的高性能和高可靠性ZnO薄膜晶体管。
机译:用于透明薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管显示器的高性能单晶N型掺杂掺杂金属氧化物纳米线
机译:III-N型晶体管,集成了具有梯度掺杂剂浓度和/或复合栅极介电常数的薄膜晶体管
机译:集成了梯度掺杂剂浓度和/或复合栅介质的薄膜晶体管的III-N晶体管
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