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第一章 引言
§1.1半导体工业背景
§1.2有机分子半导体器件
§1.2.1有机场效应管
§1.2.2有机场效应管的一些输运机制
§1.2.3发光有机场效应管
§1.3本文的主要研究内容,方法以及意义
§1.3.1有机分子薄膜的界面问题
§1.3.2金属表面的有机半导体分子
§1.3.3无机硅表面
§1.3.4半导体表面的环加成反应原理
§1.3.5研究有机分子半导体表面的意义、方法及可能的结果
参考文献
第二章 多体问题及第一性原理计算简介
§2.1多体问题处理
§2.1.1多体问题的Schr(o)dinger方程及Born-Oppenheimer近似
§2.1.2 Born-Oppenheimer近似下的氢原子解
§2.2变分原理及自洽场方程
§2.2.1变分原理
§2.2.2LCAO-MO方法
§2.2.3自洽场方程
参考文献
第三章 密度泛函理论简介
§3.1 DFT的建立
§3.1.1 DFT建立的背景及一些模型
§3.1.2密度泛函理论(DFT)及Hohenberg-Kohn定理
§3.1.3交换-关联能
§3.2 Kohn-Sham方程
§3.3 DFT的一些近似
§3.3.1局域泛函:LDA
§3.3.2半局域泛函:GEA,GGA及其它
§3.4以DFT为基础的Dmol3及其他相关软件简介
参考文献
第四章 有机分子在SiO2表面的结构与电子态
§4.1引言
§4.2计算软件及计算
§4.3结果与讨论
§4.4结论
参考文献
总结
致谢