首页> 中文学位 >Mg2(Si,Sn)合金的固溶限、点缺陷和热电性能
【6h】

Mg2(Si,Sn)合金的固溶限、点缺陷和热电性能

代理获取

目录

声明

摘要

第一章 前言

1.1 热电学研究背景

1.1.1 热电学发展历史

1.1.2 热电器件与工业应用

1.1.3 热电学固体传输理论

1.2 热电学与热电材料的研究进展

1.2.1 几种重要的热电材料体系

1.3 Mg2X(X=Si,Ge,Sn)基热电材料以及研究进展

1.3.1 Mg2X(X=Si,Ge,Sn)基热电材料的基本性质

1.3.2 Mg2X(X=Si,Ge,Sn)基热电材料的研究进展

1.4 本论文的研究思路以及内容

第二章 实验设备与方法

2.1 实验材料和设备

2.2 材料的制备流程

2.3 材料的表征手段

第三章 Mg2(Si,Sn)合金材料的固溶限与热电性能

3.1 引言

3.2 Mg2(Si,Sn)合金材料固溶限和微观结构

3.3 Mg2(Si,Sn)合金材料的热电性能

3.4 不同制备方法得到的Mg2Si1-xSnx合金的性能比较

3.5 本章小结

第四章 Mg2Si1-xSnx合金材料中的点缺陷工程

4.1 引言

4.2 Mg2(Si,Sn)/Mg3Sb2复合材料中的点缺陷研究

4.2.1 Mg3Sb2热电材料的基本物理性能

4.2.2 Mg2Si0.4Sn0.6/MgsSb2复合材料的热电性能

4.2.3 Mg2Si0.4Sn0.55Sb0.05/Mg3Sb2复合材料的热电性能

4.3 Mg2Si0.4Sn0.6-xSbx材料中的点缺陷研究

4.3.1 Mg2Si0.4Sn0.6-xSbx材料中空位产生机理的探讨

4.3.2 点缺陷对Mg2Si0.4Sn0.6-xSbx材料热电性能的影响

4.3.3 Mg2Si0.4Sn0.6-xSbx材料中共存点缺陷的热稳定性研究

4.4 Zn掺杂的Mg2Si0.4Sn0.5Sb0.1材料的热电性能

4.5 本章小结

第五章 P型Mg2X(X=Si,Ge,Sn)基热电材料的性能改善

5.1 引言

5.2 P型Mg2X(X=Si,Ge,Sn)基热电材料的基本物理性能

5.3 B掺杂的Mg2Ge0.4Sn0.6基热电材料

5.4 Ag掺杂的Mg2Ge0.4Sn0.6基热电材料

5.5 赝三元Mg2X(X=Si,Ge,Sn)合金P型热电材料

5.5.1 赝三元Mg2X(X=Si,Ge,Sn)合金材料成分的选择

5.5.2 赝三元Mg2-xAgx(Si0.33Ge0.33Sn0.33)合金材料的热电性能

5.6 总结

第六章 结论

参考文献

致谢

个人简历

攻读学位期间发表的学术成果

展开▼

摘要

Mg2(Si,Sn)基合金热电材料具有成本低廉、环境友好等特点,是一类本领域同行广泛关注的新型绿色热电材料。但相比较目前性能最佳的热电材料而言,这个体系还存在制备困难、固溶限尚未确定、晶格热导率偏高、P型材料的性能太低等问题。本文重点研究了Mg2(Si,Sn)合金的固溶限、点缺陷和热电性能,取得如下主要成果:
  (一)确定了不同制备方法下Mg2Si1-xSnx合金材料中的固溶区间。本文采用助熔剂法和钽管封装法制备了Mg2Si1-xSnx(x=0.2,0.4,0.5,0.6,0.8)的合金试样,根据XRD和EPMA分析,确定了Mg2Si-Mg2Sn合金材料在不同制备方法下的固溶限。研究发现Mg2Si1-xSnx材料中存在Mg空位和间隙Mg等点缺陷,点缺陷Mg空位的存在导致了第二相的产生,并对材料的热电性能有着显著的影响。
  (二)在Mg2Si0.4Sn0.6-xSbx体系中提出了点缺陷工程的概念。为了在保持电性能的前提下降低Mg2Si1-xSnx合金材料的晶格热导率,本文首次通过大量掺杂Sb和调节Mg含量,控制Sb掺杂原子、Mg空位和间隙位Mg原子三种点缺陷在合金材料中的协调作用,有效降低了晶格热导率并同时优化了载流子浓度,显著提升了材料的热电性能。研究发现,Mg2Si0.4Sn0.6-xSbx体系中,Mg空位和间隙位Mg原子可以稳定共存,通过调整Sb和Mg含量可以在一定范围内控制Mg空位和间隙位Mg原子浓度。Mg空位是一种有效的声子散射中心,对降低材料声子熟导率具有显著作用。通过添加Zn,可以调节材料电子结构、优化材料电学性能。Zn掺杂Mg2Si0.4Sn0.5Sb0.1的ZT值在750 K达到1.1以上。
  (三)通过受主掺杂和赝三元合金化提高P型Mg2X(X=Si,Ge,Sn)合金的热电性能。研究发现,Ag是一种比B更有效的受主杂质。通过控制材料中间隙Mg原子含量、减少材料的少子浓度,将材料的热电优值提高了35%。对Mg2(Si0.33Ge0.33 Sn0.33)和Mg2(Si0.2Ge0.2Sn0.6)两个赝三元合金体系的高温霍尔测试结果表明,两个体系中电子/空穴迁移率的比值相差不大,但是Mg2(Si0.33Ge0.33Sn0.33)的电导率和热导率具有相对优势,更适合作为P型掺杂的基体。Ag掺杂Mg2(Si0.33Ge0.33Sn0.33)的ZT值达到0.4左右,是至今报道的P型Mg2Si基材料热电性能的最高值。

著录项

  • 作者

    姜广宇;

  • 作者单位

    浙江大学;

  • 授予单位 浙江大学;
  • 学科 材料科学与工程
  • 授予学位 博士
  • 导师姓名 赵新兵;
  • 年度 2014
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类 TG146.22;
  • 关键词

    热电材料; 硅化物; 点缺陷; 热电性能;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号