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论文说明:资助
第一章.引言
本章摘要
1.1前言
1.2薄膜的制备技术
1.2.1分子束外延方法
1.2.2脉冲激光沉积法
1.2.3真空蒸镀法
1.2.4离子镀膜法
1.2.5溅射镀膜法
1.2.6化学方法
1.3薄膜生长机制的作用
1.4薄膜生长动力学研究方法
1.4.1扫描隧道显微镜和AFM原理介绍
1.4.2薄膜生长动力学的实验研究进展
1.4.3理论方法简介
1.5蒙特卡罗方法,薄膜模拟现状及特点
1.5.1蒙特卡罗方法基础
1.5.2蒙特卡罗方法模拟薄膜二维生长
1.5.3蒙特卡罗方法模拟薄膜三维生长
本章小结
第二章. 本论文的选题依据及主要研究内容
本章摘要
2.1本论文选题依据
2.2本论文主要研究内容
本章小结
第三章. 在原子层次上PbTiO3薄膜初期生长的蒙特卡罗模拟
本章摘要
3.1 MC晶格空间
3.2伪随机数算法
3.3扩散激活能(△Ed)的计算
3.4模型与算法描述
3.4.1沉积事件
3.4.2扩散事件
3.4.3脱附事件
3.4.4 Monte Carlo事件之间的关系
3.5模拟参数的考虑
3.6模拟结果与分析
3.7关于原子层次上多元氧化物薄膜生长机制模拟的讨论
本章小结
第四章. 在晶胞层次模拟ABO3型薄膜的外延生长
本章摘要
4.1模型描述
4.2相互作用
4.3模拟条件
4.4模拟结果
4.4.1不同生长条件下详细的形貌演化过程
4.4.2生长模式
4.4.3 RHEED曲线的模拟
4.4.4粗糙度
4.4.5初期岛的比较
4.4.6生长模式-初期岛-RHEED-RMS的关系
4.5结论与讨论
本章小结
第五章. 射频磁控溅射制备PbTiO3/Si(100)薄膜的初期生长特性研究
5.1射频磁控溅射简介
5.1.1靶材溅射现象
5.1.2辉光过程
5.1.3射频磁控溅射
5.2本论文研究中陶瓷靶的制备和Si(100)基底的清洗
5.3 PbTiO3/Si(100)薄膜的射频磁控溅射制备
5.4实验结果与分析
5.4.1薄膜形貌与表面分析
5.4.2岛的高度
5.4.3 PbTiO3/Si(001)薄膜的扩散系数
5.5结论
本章小结
第六章. 理论模拟与实验研究结果的综合分析比较
6.1 ABO3型氧化物薄膜生长以晶胞形成与扩散的方式生长
6.2基于晶胞模拟的RHEED曲线与实验RHEED曲线的比较
6.3 PbTiO3/Si(100)薄膜的岛状生长模式的解释
本章小结
第七章. 主要结论和进一步研究工作的建议
7.1本论文主要研究成果
7.2本论文的主要创新点
7.3下一步研究的建议
参考文献
作者在攻读博士学位期间参加的研究项目
攻读博士学位期间发表的论文
致谢
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