智能功率集成电路中部分子电路的分析与设计

摘要

随着微电子技术的进步，以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(SPIC)得到了迅速发展。智能功率集成电路中的功率校正电路也随着人们对电源谐波污染的关注而逐渐成为一个重要的研究对象。现在的功率因数校正技术可以按照无源功率因数校正和有源功率因数校正来划分，前者通常只能将功率因数提高到95％，而后者可以将功率因数提高到近似为1。国际上已经出现了一些有源功率因数校正芯片，如Onsemi公司的MC33262、MC34262，ST公司的L6561、L6562，Microlinear公司的ML4812等产品。 本文研究了有源功率因数校正技术中的临界导通模式的基本原理，并对其中的电压基准源和模拟乘法器做了详细的分析和设计。分析了几种电压基准源的基本原理并从中选出适合实际应用的基准源，研究了提高电源电压抑制比和高阶温度系数补偿的方法，还对实际用的基准源进行了流片后的测试及测试结果分析。对于模拟乘法器，分析了其工作原理，并设计其输入输出级使其适合设计要求。最后对版图进行了研究，给出了部分电路版图。

目录

文摘

英文文摘

独创性声明及关于论文使用授权的说明

第一章绪论

第二章功率因数校正技术的研究

第三章电压基准源

第四章模拟乘法器

第五章部分电路版图

第六章总结

致谢

参考文献

个人简历

攻硕期间取得的研究成果