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目录
第一章 绪 论
1.1 IGBT的发展
1.2 逆导型IGBT
1.3 结终端技术
1.4 本文的主要工作与创新
第二章 隔离型RC-IGBT
2.1 传统RC-IGBT基本特性
2.2 介质隔离型RC-IGBT
2.3 介质隔离与结隔离型RC-IGBT
2.4 结隔离型RC-IGBT
2.5 本章小结
第三章 隧道型RC-IGBT
3.1 隧道型RC-IGBT的工作原理
3.2 集成二极管的反向恢复特性
3.3 本章小结
第四章 IGBT的耐压设计
4.1 单晶材料设计
4.2 结终端设计
4.3 宽基区p-n-p的放大系数
4.4 实验结果
4.5 本章小结
第五章 结论与展望
5.1 结论
5.2 展望
致谢
参考文献
攻博期间取得的研究成果